一種片上嵌入式Flash測(cè)試接口的設(shè)想

做者：

錢(qián)勁宇，強(qiáng)小燕，屈凌翔

做者單元：

摘要：

Flash存儲(chǔ)器具有功耗低、存儲(chǔ)容量大、體積小等特點(diǎn),被普遍應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)。目前Flash存儲(chǔ)器大都利用串行接口停止擦寫(xiě)測(cè)試，存在著測(cè)試效率低、測(cè)試成本高檔問(wèn)題。針對(duì)以上問(wèn)題，設(shè)想并實(shí)現(xiàn)了一種片上嵌入式Flash的測(cè)試接口。連系片上嵌入式Flash的接口特點(diǎn)和時(shí)序要求，設(shè)想了基于多線(xiàn)SPI的測(cè)試接口，并在確保不變性的情況下實(shí)現(xiàn)了對(duì)多塊Flash存儲(chǔ)器并行測(cè)試的設(shè)想，進(jìn)步了測(cè)試速度。通過(guò)NCverilog仿實(shí)成果表白，該設(shè)想有效縮短了測(cè)試時(shí)間，到達(dá)了測(cè)試要求，并勝利應(yīng)用于一款*2位浮點(diǎn)微處置器中。

引言：

跟著信息手藝的飛速開(kāi)展，用戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的容量、功耗、速度等要求也越來(lái)越嚴(yán)酷 [1-2] 。Flash存儲(chǔ)器相對(duì)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器件RAM而言，具有集成度高、體積小、成本低等長(zhǎng)處 [*-4] ，因而跟著集成電路的規(guī)模越來(lái)越大，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器飛速開(kāi)展，逐步成為系統(tǒng)芯片支流的容量存儲(chǔ)媒體 [*] 。

目前Flash存儲(chǔ)器在完成設(shè)想后，凡是將串行尺度接口做為測(cè)試接口停止擦寫(xiě)測(cè)試，而串行時(shí)鐘頻次比力低，傳輸數(shù)據(jù)慢，測(cè)試效率低。另一方面，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的測(cè)試往往存在著擦除、編程數(shù)據(jù)比力慢的問(wèn)題，那對(duì)存在多塊Flash的芯片產(chǎn)生了龐大的測(cè)試量，需要停止大量反復(fù)的測(cè)試，招致需要的測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng) [6-*] ，因而，若何進(jìn)步測(cè)試效率，簡(jiǎn)化測(cè)試流程，在Flash測(cè)試中顯得尤為重要。

本文對(duì)片上Flash存儲(chǔ)器增加了測(cè)試接口，設(shè)想了片外測(cè)試通道，實(shí)現(xiàn)了片上嵌入式Flash的可測(cè)試性。為了進(jìn)步測(cè)試速度，降低測(cè)試成本，一方面，設(shè)想了基于1/2/4/8線(xiàn)多線(xiàn)傳輸?shù)腟PI測(cè)試接口，在兼容串行傳輸數(shù)據(jù)的同時(shí)撐持并行傳輸數(shù)據(jù)，另一方面，在確保不變性的情況下，實(shí)現(xiàn)了靈敏選定1/2/*塊Flash存儲(chǔ)器并行擦寫(xiě)測(cè)試的設(shè)想。

文章來(lái)源：《電子手藝應(yīng)用》雜志*月刊

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